| Показано 1 - 50 (всего 66 товаров) |
1
|
|
Сортировать по цене:
|
|
Оперативная память Transcend JetRam 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (TS512MSK64V6N)Код товара: 75757 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
161,80147,10 руб.(c НДС) В наличии |
|
|
Оперативная память Kingston ValueRAM KVR1333D3N9/4GКод товара: 74254 4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston ValueRAM KVR1333D3S9/4GКод товара: 76294 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Hynix DDR3 PC3-10600 4GB (HMT351U6BFR8C-H9)Код товара: 74295 4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston ValueRAM KVR800D2N6/4GКод товара: 74208 4 ГБ, 1 модуль DDR2 DIMM, частота 800 МГц, CL 6T, напряжение 1.8 В |
- |
|
|
Оперативная память QUMO 2GB DDR3 SODIMM PC3-12800 QUM3S-2G1600K11LКод товара: 77482 2 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Hynix DDR3 PC3-12800 2GB (HMT325U6CFR8C-PB)Код товара: 75281 2 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston ValueRAM 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (KVR16S11/4)Код товара: 74477 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Hynix DDR3 PC3-10600 2GB (HMT325U6BFR8C-H9)Код товара: 401366 2 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память QUMO 4GB DDR3 PC3-12800 QUM3U-4G1600K11Код товара: 75252 4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Transcend 4GB DDR3 PC3-12800 (TS512MLK64V6N)Код товара: 75321 4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Hynix SO-DIMM DDR3 PC3-10600 2GB (HMT325S6BFR8C-H9)Код товара: 483496 2 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Micron 2GB DDR3 PC3-12800 MT8JTF25664AZ-1G6M1Код товара: 401403 2 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память GOODRAM DDR3 PC3-10600 2GB 256x8 (GR1333D364L9/2G)Код товара: 401375 2 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память GOODRAM 2GB DDR3 SO-DIMM PS3-1060 [GR1600S364L11/2G]Код товара: 77541 2 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 11T |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 2GB DDR3 SODIMM PC3-10600 M471B5773EB0-CH9Код товара: 76608 2 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 2GB DDR3 PC3-12800 M471B5273CH0-YK0Код товара: 77536 2 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston ValueRAM 4GB DDR3 PC3-12800 (KVR16N11/4)Код товара: 74330 4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 10-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Hynix DDR3 PC3-12800 4GB (HMT351U6CFR8C-PB)Код товара: 74764 4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston HyperX blu KHX1333C9D3B1K2/8GКод товара: 483474 8 ГБ, 2 модуля DDR3 DIMM по 4 ГБ, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Neo Forza 2GB DDR3 SODIMM PC3-12800 NMSO320C81-1600DA10Код товара: 74770 2 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память QUMO 4GB DDR3 PC3-12800 QUM3U-4G1600K11LКод товара: 75739 4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Hynix 2GB DDR3 PC3-10600 HMT325U6CFR8C-H9Код товара: 77977 1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Hynix 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 HMT351S6EFR8C-PBКод товара: 77993 1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Hynix SO-DIMM DDR2 PC2-5300 2 Гб (HYMP125S64CP8-Y5)Код товара: 77979 1 модуль, частота 667 МГц, CL 5T, тайминги 5-5-5, напряжение 1.8 В |
- |
|
|
Оперативная память Hynix SO-DIMM DDR2 PC2-6400 4GB (HMP351S6AFR8C-S6)Код товара: 77956 1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, напряжение 1.8 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston HyperX Beast 2x4GB KIT DDR3 PC3-12800 (KHX16C9T3K2/8X)Код товара: 77946 2 модуля, частота 1600 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.65 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston HyperX Beast 2x4GB KIT DDR3 PC3-19200 (KHX24C11T3K2/8X)Код товара: 77962 2 модуля, частота 2400 МГц, CL 11T, тайминги 11-13-13, напряжение 1.65 В |
- |
|
|
Оперативная память Silicon-Power 2GB DDR3 PC3-10600 (SP002GBLTU133V01)Код товара: 77991 1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Foxline 2GB DDR3 SODIMM PC3-12800 FL1600D3S11SL-2GКод товара: 77487 2 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память GOODRAM 4GB DDR3 SODIMM PS3-12800 GR1600S364L11/4GКод товара: 77125 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung SO-DIMM DDR3 PC3-12800 4GB (M471B5273CH0-CK0)Код товара: 76415 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память QUMO 4GB DDR3 PC3-10600 QUM3U-4G1333K9Код товара: 75083 4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston ValueRAM 2GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (KVR16S11/2)Код товара: 74793 2 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (M471B5273EB0-CK0)Код товара: 76414 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Hynix DDR3 PC3-12800 2GB (HMT325U6EFR8C-PB)Код товара: 76886 2 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Hynix 2GB DDR3 PC3-12800 H5TQ2G83CFR-PBCКод товара: 75705 2 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston ValueRAM 2GB DDR3 PC3-12800 (KVR16N11/2)Код товара: 76793 2 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Silicon-Power 2GB DDR3 PC3-10600 (SP002GBLTU133V02)Код товара: 490224 2 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память QUMO 4GB DDR3 PC3-12800 QUM3U-4G1600C11Код товара: 75265 4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Advantech 2GB DDR3 PC3-12800 AQD-D3L2GN16-SQ1Код товара: 76110 2 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-27, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SODIMM PC3-10600 [M471B5273CH0-CH9]Код товара: 77953 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память GOODRAM 4GB DDR3 PC3-12800 (GR1600D364L11/4G)Код товара: 76971 4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память GOODRAM DDR3 PC3-10600 4GB 256x8 (GR1333D364L9/4G)Код товара: 74741 4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Hynix SO-DIMM DDR3 PC3-10600 2 Гб (HMT125S6BFR8C-H9)Код товара: 483479 2 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung DDR3 PC3-10600 4GB (M378B5273DH0-CH9)Код товара: 76447 4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Micron 2GB DDR3 SO-DIMM PC3-10600 (MT8JSF25664HZ-1G4D1)Код товара: 483624 2 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 M471B5273DH0-YK0Код товара: 401142 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 [M471B5273CH0-YK0]Код товара: 76717 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston HyperX Genesis KHX1866C9D3K2/8GКод товара: 490216 8 ГБ, 2 модуля DDR3 DIMM по 4 ГБ, частота 1866 МГц, CL 9T, тайминги 9-11-9-27, напряжение 1.65 В |
- |
|
| Показано 1 - 50 (всего 66 товаров) |
1
|
|
Сортировать:
|
|
![Оперативная память GOODRAM 2GB DDR3 SO-DIMM PS3-1060 [GR1600S364L11/2G]](images/gr1600s364l112g_th_100x100.jpeg "Оперативная память GOODRAM 2GB DDR3 SO-DIMM PS3-1060 [GR1600S364L11/2G]")
![Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SODIMM PC3-10600 [M471B5273CH0-CH9]](images/m471b5273ch0ch9_th_100x100.jpg "Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SODIMM PC3-10600 [M471B5273CH0-CH9]")
![Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 [M471B5273CH0-YK0]](images/m471b5273ch0yk0_th_100x100.jpeg "Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 [M471B5273CH0-YK0]")
